突破8N！集团碳化硅粉体纯度登顶全球塔尖 | 中国平煤神马报

碳化硅作为第三代半导体核心材料，其粉体纯度直接影响单晶生长质量和电学性能。此前，全球碳化硅粉体纯度的最高纪录8N（99.999999%）由一家国际行业巨头保持，其核心技术壁垒深厚，令众多企业望而却步。

然而，中宜创芯并未被技术“护城河”所阻。自成立以来，该公司便致力于碳化硅半导体材料的研发与生产，依托集团前瞻性布局和强大支持，不断突破技术极限。在此次纯度提升之前，中宜创芯的碳化硅粉体纯度已在国内遥遥领先，达到7N8（99.999998%）水平，成功吸引了30多家企业和研究机构进行试用和验证。

为了实现纯度的再次突破，中宜创芯的技术团队付出了艰辛努力。他们改变传统碳化硅破碎方式，引进国内行业首台新型无污染碎料装置，并采用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，不断优化研发流程，不仅将碳化硅粉体纯度提升至8N8，还将正品率由55%增至85%，彻底攻破行业“卡脖子”难题。这一成就不仅打破了国际行业巨头技术垄断，更为中国芯片材料产业的自主化发展树立了新的里程碑。

值得一提的是，集团碳化硅粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，特别适合8英寸碳化硅厚单晶晶锭的生长。此前，该公司实验室已成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶晶锭，验证了其碳化硅粉体在长晶方面的优势。近日，中宜创芯的碳化硅粉体顺利通过我国半导体照明工程龙头企业——三安光电股份有限公司的产品验证，意味着产品品质得到了认可。

随着碳化硅粉体纯度的成功提升，集团正加速推进其产业化进程。据悉，中宜创芯一期500吨碳化硅半导体粉体生产线已顺利达产。今年年底，二期工程将建成投产，实现2000吨年产能目标。

项目全部达产后，集团的碳化硅粉体产品预计在国内市占率将超过30%，全球市场率也将超过10%。集团有望成为全球碳化硅功能材料产业的领军企业，为中国乃至全球的半导体产业发展贡献更多智慧和力量。

（文/图 融媒体中心记者 白雪 李梦麟 编辑 赵岩）