
由中国电子材料行业协会发布的《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准,将于11月1日正式实施。该标准由中宜创芯公司联合国内20余家科研院所及产业链企业共同制定,是我国第三代半导体材料领域首个针对纯度6N(99.9999%)级以上碳化硅粉体的技术规范,对推动半导体产业自主可控具有里程碑意义。
“该标准将产生三重积极影响:一是通过建立统一技术规范提升行业整体技术水平,二是降低下游企业验证成本、推动国产替代加速,三是强化龙头企业技术壁垒、优化产业竞争格局。”10月21日,中宜创芯公司技术总监杨正宏说。
据了解,这项填补国内空白的技术规范通过统一纯度、杂质限值、粒度等关键指标,显著提升国产粉体质量与一致性。标准实施将有效降低下游晶体生长环节的技术风险与验证成本,为我国第三代半导体产业链的自主可控与高质量发展提供重要支撑。
作为标准主要起草单位,中宜创芯公司采用改进自蔓延高温合成法(SHS),成功将碳化硅粉体纯度提升至8N8级(99.9999998%),其粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点,尤其适合8英寸、12英寸碳化硅厚单晶晶锭的生长。
(文/图 融媒体中心首席记者 白雪 记者 唐寅 编辑 梁金蕾)